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PolarHV TM Power
MOSFET
P-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXTA14N60P
IXTP14N60P
IXTQ14N60P
V DSS
I D25
R DS(on)
TO-263
=
=
≤
600V
14A
550m Ω
G
S
(TAB)
TO-220
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
600
600
V
V
V GSS
V GSM
I D25
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
± 30
± 40
14
V
V
A
G
TO-3P
D S
(TAB)
I DM
I A
E AS
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
42
14
900
A
A
mJ
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s
Plastic body for 10s
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
W
° C
° C
° C
° C
° C
G
D
S
G = Gate
S = Source
(TAB)
D = Drain
TAB = Drain
M d
Weight
Mounting torque
TO-263
TO-220
TO-3P
(TO-220)(TO-3P)
1.13/10
2.5
3.0
5.5
Nm/lb.in.
g
g
g
Features
International standard packages
Avalanche rated
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
600 V
Applications
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
T J = 125 ° C
3.0
450
5.5 V
± 100 nA
5 μ A
100 μ A
550 m Ω
DC-DC Converters
Laser Drivers
AC and DC motor drives
Robotics and servo controls
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99329F(12/08)
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IXTQ150N15P 功能描述:MOSFET 150 Amps 150V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ152N085T 功能描述:MOSFET 152 Amps 85V 6.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IXTQ160N085T 功能描述:MOSFET 160 Amps 85V 0.006 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ160N10T 功能描述:MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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